دانلود ترجمه مقاله مدل های فشرده برای ترانزیستورهای MOS

عنوان فارسی :

مدل های فشرده برای ترانزیستورهای MOS: موفقیت ها و چالش ها

عنوان انگلیسی :

Compact Models for MOS Transistors: Successes and Challenges

کلمات کلیدی :

  مدلهای فشرده؛ ترانزیستورهای MOS؛ SPICE

درسهای مرتبط : الکترونیک
تعداد صفحات مقاله انگلیسی : 7 نشریه : IEEE
سال انتشار : 2018 تعداد رفرنس مقاله : 35
فرمت مقاله انگلیسی : PDF نوع مقاله : ISI
شبیه سازی مقاله : انجام نشده است. وضعیت ترجمه مقاله : انجام شده و با خرید بسته می توانید فایل ترجمه را دانلود کنید
IEEE
قیمت دانلود مقاله
32,000 تومان
فهرست مطالب

1. مقدمه 2. روش ارائه 3. چالشهای موجود 4. ظرفیت خازنی 5. تغییرپذیری 6. روند آینده 7. نتیجه گیری

نمونه متن انگلیسی مقاله

This paper provides an industry perspective on the present state of compact models for MOS transistors. It highlights the complexity of layout-dependent effects in modern transistors, reviews some common misunderstandings of MOS transistor capacitances, and introduces a new, structurally symmetric, “gate-as-input” equivalent network for these capacitances. Areas of focus for the future model developments are also proposed. INTRODUCTION: MOS transistors are the basic building block of the Information Age. Although the structure of transistors has evolved, from planar bulk transistors to ultrathin body and box (UTTB) transistors to FinFETs to gate-all-around transistors, the basic principal of operation has remained unchanged: an electric field is applied transverse to the drain– source axis of the transistor to induce a conducting charge density, then another electric field is applied longitudinally to the drain–source axis to induce current flow. The details of the electrostatics of how the conducting charge density depends on the applied fields vary between the different transistor structures, but the fundamental principle of operation does not. In the 45 years since SPICE [1], [2] was unleashed on the world, integrated circuit (IC) design has been based on circuit simulation. The accuracy of those simulations depends both on the numerical algorithms used in a simulator and the compact models available.1 There have been significant improvements in compact models for MOS transistors over the past 30 years; however, issues still remain. From my perspective in industry, here I will briefly review what I think have been the biggest steps forward, where the most pressing needs for continued model improvement are, and where I see misunderstandings about how MOS transistors, and models for them, work. My comments are mostly generic, and independent of specific transistor type (planar, FinFET, etc.).

ترجمه نمونه متن انگلیسی

چکیده – این مقاله درباره وضعیت فعلی مدلهای فشرده ترانزیستورهای MOST دیدگاه صنعتی ارائه می دهد. این مقاله، پیچیدگی مرتبط با تاثیر وابسته به طرحِ ترانزیستورهای مدرن را مشخص کرده و به بررسی برخی سوء تفاهمات متداول درباره ظرفیت ترانزیستور MOS می پردازد و شبکه معادل گیت ورودی با ساختار متقارن را برای این ظرفیت های خازنی معرفی می کند. زمینه های مهم توسعه مدل در آینده نیز پیشنهاد شده اند. مقدمه: ترانزیستورهای MOS، بلوک ساخت اصلی عصر اطلاعات می باشند. اگرچه ساختار ترانزیستورها متحول شده است، از ترانزیستورهای فله مسطح گرفته تا ترانزیستورهای UTTB(باکس و بدنه بسیار نازک) تا FinFETs و ترانزیستورهای گیت احاطه کننده، ولی اصل کنش آن تغییری نکرده است: میدان الکتریکی، متقاطع بر محور منبع- درین ترانزیستور اعمال می شود تا چگالی بار رسانایی القاء کند و سپس میدان الکتریکی بطور طولی به محور منبع- درین و جهت القاء شار جریان اعمال می شود. جزئیات الکترواستاتیک نحوه وابستگی چگالی بار رسانا به میدان اعمالی، بین ساختارهای مختلف ترانزیستور متغیر است، ولی اصل کنش تفاوتی ندارد. طراحی مدار مجتمع (IC) در عرض 45 سال از زمان توسعه SPICE در جهان، براساس شبیه سازی مدار بوده است. دقت این شبیه سازیها به الگوریتم های عددی استفاده شده در شبیه ساز و مدلهای فشرده بستگی دارد. طی 30 سال گذشته، بهبود قابل توجهی در مدلهای فشرده ترانزیستورهای MOS روی داده است. بزرگترین گامی که برای بهبود آنها از دیدگاه صنعتی برداشته شده است، را بررسی کرده و سپس به بررسی سوء تفاهمات مربوط به ترانزیستورهای MOS و مدلهای آنها خواهم پرداخت. نظرات من اغلب ژنریک هستند و مستقل از نوع ترانزیستور خاصل می باشند (مسطح، FinFET و غیره).

توضیحات و مشاهده مقاله انگلیسی

بخشی از ترجمه مقاله (صفحه 4 فایل ورد ترجمه)

محتوی بسته دانلودی:

PDF مقاله انگلیسی ورد (WORD) ترجمه مقاله به صورت کاملا مرتب (ترجمه شکل ها و جداول به صورت کاملا مرتب) این محصول همچنین دارای یک پاورپوینت 21 اسلایدی زیبا برای ارائه کلاسی می باشد
قیمت : 32,000 تومان

دیدگاهها

هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.

اولین نفری باشید که دیدگاهی را ارسال می کنید برای “دانلود ترجمه مقاله مدل های فشرده برای ترانزیستورهای MOS”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

شانزده − یک =

مقالات ترجمه شده

آموزش برنامه نویسی

مجوز نماد اعتماد الکترونیکی

پشتیبانی ترجمه و شبیه سازی مقاله

قیمت ترجمه و شبیه سازی مقاله

با توجه به تجربه ی ما در امر شبیه سازی مقالات با نرم افزارهای متلب، پی اس کد، گمز و سایر نرم افزارهای علمی و همچنین تجربه ی چندین ساله در امر ترجمه  مقالات، تصمیم گرفتیم در این دو زمینه کمکی هر چند ناقابل برای دانشجویان به ارمغان آوریم. همه ی مقالات در سایت قرار داده شده که برخی از آنها ترجمه و شبیه سازی آماده دارند که قیمتی بین 20 تا 30 هزار تومان به فروش می رسند. برخی از مقالات نیز که ترجمه و شبیه سازی ندارند، می توانید سفارش دهید تا همکاران ما در اسرع وقت اقدام به تهیه آن کرده و در موعد مقرر تحویل شما دهند.