دانلود ترجمه مقاله مدل های فشرده برای ترانزیستورهای MOS

عنوان فارسی

مدل های فشرده برای ترانزیستورهای MOS: موفقیت ها و چالش ها

عنوان انگلیسی

Compact Models for MOS Transistors: Successes and Challenges

کلمات کلیدی :

  مدلهای فشرده؛ ترانزیستورهای MOS؛ SPICE

درسهای مرتبط الکترونیک
تعداد صفحات مقاله انگلیسی : 7 نشریه : IEEE
سال انتشار : 2018 تعداد رفرنس مقاله : 35
فرمت مقاله انگلیسی : PDF نوع مقاله : ISI
پاورپوینت :

دانلود پاورپوینت مقاله مسائل طرح فشرده ترانزیستور MOS

وضعیت ترجمه مقاله : انجام شده و با خرید بسته می توانید فایل ترجمه را دانلود کنید
IEEE
قیمت دانلود ترجمه مقاله
34,800 تومان
فهرست مطالب

1. مقدمه 2. روش ارائه 3. چالشهای موجود 4. ظرفیت خازنی 5. تغییرپذیری 6. روند آینده 7. نتیجه گیری

سفارش ترجمه
ترجمه نمونه متن انگلیسی

چکیده – این مقاله درباره وضعیت فعلی مدلهای فشرده ترانزیستورهای MOST دیدگاه صنعتی ارائه می دهد. این مقاله، پیچیدگی مرتبط با تاثیر وابسته به طرحِ ترانزیستورهای مدرن را مشخص کرده و به بررسی برخی سوء تفاهمات متداول درباره ظرفیت ترانزیستور MOS می پردازد و شبکه معادل گیت ورودی با ساختار متقارن را برای این ظرفیت های خازنی معرفی می کند. زمینه های مهم توسعه مدل در آینده نیز پیشنهاد شده اند. مقدمه: ترانزیستورهای MOS، بلوک ساخت اصلی عصر اطلاعات می باشند. اگرچه ساختار ترانزیستورها متحول شده است، از ترانزیستورهای فله مسطح گرفته تا ترانزیستورهای UTTB(باکس و بدنه بسیار نازک) تا FinFETs و ترانزیستورهای گیت احاطه کننده، ولی اصل کنش آن تغییری نکرده است: میدان الکتریکی، متقاطع بر محور منبع- درین ترانزیستور اعمال می شود تا چگالی بار رسانایی القاء کند و سپس میدان الکتریکی بطور طولی به محور منبع- درین و جهت القاء شار جریان اعمال می شود. جزئیات الکترواستاتیک نحوه وابستگی چگالی بار رسانا به میدان اعمالی، بین ساختارهای مختلف ترانزیستور متغیر است، ولی اصل کنش تفاوتی ندارد. طراحی مدار مجتمع (IC) در عرض 45 سال از زمان توسعه SPICE در جهان، براساس شبیه سازی مدار بوده است. دقت این شبیه سازیها به الگوریتم های عددی استفاده شده در شبیه ساز و مدلهای فشرده بستگی دارد. طی 30 سال گذشته، بهبود قابل توجهی در مدلهای فشرده ترانزیستورهای MOS روی داده است. بزرگترین گامی که برای بهبود آنها از دیدگاه صنعتی برداشته شده است، را بررسی کرده و سپس به بررسی سوء تفاهمات مربوط به ترانزیستورهای MOS و مدلهای آنها خواهم پرداخت. نظرات من اغلب ژنریک هستند و مستقل از نوع ترانزیستور خاصل می باشند (مسطح، FinFET و غیره).

نمونه متن انگلیسی مقاله

This paper provides an industry perspective on the present state of compact models for MOS transistors. It highlights the complexity of layout-dependent effects in modern transistors, reviews some common misunderstandings of MOS transistor capacitances, and introduces a new, structurally symmetric, “gate-as-input” equivalent network for these capacitances. Areas of focus for the future model developments are also proposed. INTRODUCTION: MOS transistors are the basic building block of the Information Age. Although the structure of transistors has evolved, from planar bulk transistors to ultrathin body and box (UTTB) transistors to FinFETs to gate-all-around transistors, the basic principal of operation has remained unchanged: an electric field is applied transverse to the drain– source axis of the transistor to induce a conducting charge density, then another electric field is applied longitudinally to the drain–source axis to induce current flow. The details of the electrostatics of how the conducting charge density depends on the applied fields vary between the different transistor structures, but the fundamental principle of operation does not. In the 45 years since SPICE [1], [2] was unleashed on the world, integrated circuit (IC) design has been based on circuit simulation. The accuracy of those simulations depends both on the numerical algorithms used in a simulator and the compact models available.1 There have been significant improvements in compact models for MOS transistors over the past 30 years; however, issues still remain. From my perspective in industry, here I will briefly review what I think have been the biggest steps forward, where the most pressing needs for continued model improvement are, and where I see misunderstandings about how MOS transistors, and models for them, work. My comments are mostly generic, and independent of specific transistor type (planar, FinFET, etc.).

توضیحات و مشاهده مقاله انگلیسی

ترجمه این مقاله در 16 صفحه آماده شده و در ادامه نیز صفحه 4 آن به عنوان نمونه قرار داده شده است که با خرید این محصول می توانید، فایل WORD و PDF آن را دریافت نمایید.

محتوی بسته دانلودی:

PDF مقاله انگلیسی ورد (WORD) ترجمه مقاله به صورت کاملا مرتب (ترجمه شکل ها و جداول به صورت کاملا مرتب)
قیمت : 34,800 تومان

نقد و بررسی‌ها

هنوز بررسی‌ای ثبت نشده است.

اولین کسی باشید که دیدگاهی می نویسد “دانلود ترجمه مقاله مدل های فشرده برای ترانزیستورهای MOS”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

18 − هشت =

مقالات ترجمه شده

نماد اعتماد الکترونیکی

پشتیبانی

logo-samandehi