دانلود ترجمه مقاله تجزیه و تحلیل تغییر پذیری و قابلیت اطمینان تکنولوژی CNFET

عنوان فارسی :

تجزیه و تحلیل تغییر پذیری و قابلیت اطمینان تکنولوژی CNFET: تاثیر نواقص ساخت

عنوان انگلیسی :

Variability and reliability analysis of CNFET technology: Impact of manufacturing imperfections

کلمات کلیدی :

  نانوتیوب های کربنی (CNTs)؛ ترانزیستور اثر میدانی نانوتیوب کربنی (CNFETs)؛ نواقص ساخت CNFET؛ قابلیت اطمینان و تغییر پذیری CNFET

درسهای مرتبط : الکترونیک
تعداد صفحات مقاله انگلیسی : 9 نشریه : ELSEVIER
سال انتشار : 2014 تعداد رفرنس مقاله : 39
فرمت مقاله انگلیسی : PDF نوع مقاله : ISI
شبیه سازی مقاله : انجام نشده است. وضعیت ترجمه مقاله : انجام شده و با خرید بسته می توانید فایل ترجمه را دانلود کنید
ELSEVIER
قیمت دانلود مقاله
24,000 تومان
فهرست مطالب

1. مقدمه 2. نواقص ساخت در CNFET ها و چالش ها 3. تاثیر ضعف های تولید CNFET بر عملکرد ترانزیستور 3.1. دستگاه CNFET نامی 3.2. روش تجزیه و تحلیل تغییرات تولید CNFET 3.3. نتایج شبیه سازی 4. تجزیه و تحلیل تغییرپذیری 5. تحليل آماری پايايی 5.1. احتمال خرابی :CNFET استخراج مدل 6. نتیجه گیری

نمونه متن انگلیسی مقاله

Carbon nanotube field-effect transistors (CNFETs) are promising candidates to substitute silicon transistors. Boasting extraordinary electronic properties, CNFETs exhibit characteristics rivaling those of state-of-the-art Si-based metal–oxide–semiconductor field-effect transistors (MOSFETs). However, as any technology that is in development, CNFET fabrication process still have some imperfections that results in carbon nanotube variations, which can have a severe impact on the devices’ performance and jeopardize their reliability (in this work the term reliability means time-zero failure due to manufacturing variations). This paper presents a study of the effects on transistors of the main CNFET manufacturing imperfections, including the presence of metallic carbon nanotubes (m-CNTs), imperfect m-CNT removal processes, chirality drift, CNT doping variations in the source/drain extension regions, and density fluctuations due to non-uniform inter-CNT spacing.

ترجمه نمونه متن انگلیسی

چکیده – ترانزیستورهای اثر میدان مغناطیسی نانوتیوب کربنی (CNFETs) گزینه های امیدبخشی برای جایگزینی ترانزیستورهای سیلیکونی هستند. با در اختیار داشتن زمینه الکترونیکی فوق العاده، CNFET ها خصوصیات منحصر بفردی در رقابت با MOSFET های مدرن از خود نشان می دهند. با این حال، مانند هر فناوری در حال توسعه دیگر، فرایند تولید CNFET هنوز دارای نقص هایی است که منجر به دگرگونی نانولوله های کربنی می شود و می تواند تاثیر شدیدی بر عملکرد دستگاه داشته و قابلیت اطمینان آن را تحت تاثیر قرار دهد. (در این پژوهش، اصطلاح قابلیت اطمینان به معنای شکست زمان صفر به علت تغییرات تولید است). در این مقاله تاثیر نواقص اصلی ساخت CNT ها از جمله وجود نانولوله های کربنی فلزی (m-CNTs)، فرایندهای حذف ناقص m-CNT، راندگی کیرالیتی، تغییرات تغلیظ CNT در مناطق گسترش سورس / درین و نوسانات چگالی ناشی از فاصله غیریکنواخت درون CNT بر روی ترانزیستورها بررسی می شود.

توضیحات و مشاهده مقاله انگلیسی

محتوی بسته دانلودی:

PDF مقاله انگلیسی ورد (WORD) ترجمه مقاله به صورت کاملا مرتب (ترجمه شکل ها و جداول به صورت کاملا مرتب)
قیمت : 24,000 تومان

دیدگاهها

هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.

اولین نفری باشید که دیدگاهی را ارسال می کنید برای “دانلود ترجمه مقاله تجزیه و تحلیل تغییر پذیری و قابلیت اطمینان تکنولوژی CNFET”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

16 + دوازده =

مقالات ترجمه شده

آموزش برنامه نویسی

مجوز نماد اعتماد الکترونیکی

پشتیبانی ترجمه و شبیه سازی مقاله

تماس با پشتیبانی

قیمت ترجمه و شبیه سازی مقاله

با توجه به تجربه ی ما در امر شبیه سازی مقالات با نرم افزارهای متلب، پی اس کد، گمز و سایر نرم افزارهای علمی و همچنین تجربه ی چندین ساله در امر ترجمه  مقالات، تصمیم گرفتیم در این دو زمینه کمکی هر چند ناقابل برای دانشجویان به ارمغان آوریم. همه ی مقالات در سایت قرار داده شده که برخی از آنها ترجمه و شبیه سازی آماده دارند که قیمتی بین 20 تا 30 هزار تومان به فروش می رسند. برخی از مقالات نیز که ترجمه و شبیه سازی ندارند، می توانید سفارش دهید تا همکاران ما در اسرع وقت اقدام به تهیه آن کرده و در موعد مقرر تحویل شما دهند.