دانلود ترجمه مقاله تجزیه و تحلیل تغییر پذیری و قابلیت اطمینان تکنولوژی CNFET

1. مقدمه 2. نواقص ساخت در CNFET ها و چالش ها 3. تاثیر ضعف های تولید CNFET بر عملکرد ترانزیستور 3.1. دستگاه CNFET نامی 3.2. روش تجزیه و تحلیل تغییرات تولید CNFET 3.3. نتایج شبیه سازی 4. تجزیه و تحلیل تغییرپذیری 5. تحليل آماری پايايی 5.1. احتمال خرابی :CNFET استخراج مدل 6. نتیجه گیری

چکیده – ترانزیستورهای اثر میدان مغناطیسی نانوتیوب کربنی (CNFETs) گزینه های امیدبخشی برای جایگزینی ترانزیستورهای سیلیکونی هستند. با در اختیار داشتن زمینه الکترونیکی فوق العاده، CNFET ها خصوصیات منحصر بفردی در رقابت با MOSFET های مدرن از خود نشان می دهند. با این حال، مانند هر فناوری در حال توسعه دیگر، فرایند تولید CNFET هنوز دارای نقص هایی است که منجر به دگرگونی نانولوله های کربنی می شود و می تواند تاثیر شدیدی بر عملکرد دستگاه داشته و قابلیت اطمینان آن را تحت تاثیر قرار دهد. (در این پژوهش، اصطلاح قابلیت اطمینان به معنای شکست زمان صفر به علت تغییرات تولید است). در این مقاله تاثیر نواقص اصلی ساخت CNT ها از جمله وجود نانولوله های کربنی فلزی (m-CNTs)، فرایندهای حذف ناقص m-CNT، راندگی کیرالیتی، تغییرات تغلیظ CNT در مناطق گسترش سورس / درین و نوسانات چگالی ناشی از فاصله غیریکنواخت درون CNT بر روی ترانزیستورها بررسی می شود.

Carbon nanotube field-effect transistors (CNFETs) are promising candidates to substitute silicon transistors. Boasting extraordinary electronic properties, CNFETs exhibit characteristics rivaling those of state-of-the-art Si-based metal–oxide–semiconductor field-effect transistors (MOSFETs). However, as any technology that is in development, CNFET fabrication process still have some imperfections that results in carbon nanotube variations, which can have a severe impact on the devices’ performance and jeopardize their reliability (in this work the term reliability means time-zero failure due to manufacturing variations). This paper presents a study of the effects on transistors of the main CNFET manufacturing imperfections, including the presence of metallic carbon nanotubes (m-CNTs), imperfect m-CNT removal processes, chirality drift, CNT doping variations in the source/drain extension regions, and density fluctuations due to non-uniform inter-CNT spacing.