دانلود پاورپوینت مقاله مسائل طرح های فشرده در ترانزیستورهای MOS

مدلهای ترانزیستورهای MOS بیش از 50 سال است که توسعه یافته اند. آنچه بعنوان روش مرجع تلقی می شد، یعنی مدل Pao–Sah ، به خاطر فرمولاسیون انتگرال دوگانه خود جهت استفاده در شبیه سازهای مدار جهت طراحی IC، غیر عملی بود. اولین مدل ترانزیستور MOS اجرایی در SPICE مدل Shichman–Hodges بود که جدای از برخی شرایط و برخی عملیات های مطلق، متقارن بود. اولین مدل ترانزیستور MOS عملی، براساس پتانسیل سطحی ψs بود که یک دهه بعد توسعه یافت. با این حال، این روش مشکلاتی داشت که برای پیاده سازی، نیازمند چندین سال تلاش بود. در نتیجه، توسعه مدل ترانزیستور MOS از روش مدلهای مبتنی بر ولتاژ آستانه و مبتنی بر منبع پیروی می کرد. در آن زمان، مشکلات این روش شناسایی نشده بود. روش جایگزین مبتنی بر بار معکوس نیز پیشنهاد گردید.

این پاورپوینت در 21 اسلاید آماده شده و در ادامه نیز، اسلاید شماره 17 آن قرار داده شده است:

اگرچه شکایاتی درباره مشکلات مدلهای ترانزیستور MOS طی 35 سال گذشته وجود داشته است، ولی هیچ پیشرفتی در زمینه بهبود آن صورت نگرفته است، مگراینکه معیار خاصی مطرح شده باشد که در برخی مقالات و پروژه ها به آنها اشاره شده است. زمانیکه حداقل شرایط مورد انتظار مدلها ارائه شدند، روش مبتنی بر ولتاژ آستانه منبع حذف گردید. مدلهای امروزی مبتنی بر بار معکوس می باشند همچون BSIM-BULK , / ψs-based, FinFET , UTTB  و ساختارهای فله ای. روش خطی سازی متقارن استفاده شده در PSP، گام عمده ای محسوب می شود. فرمولاسیون نوآوری برای ترانزیستورهای MOS با گیت دوگانه در بررسی شده، ولی به هیچ مدل استانداردی منجر نگردید. روش منبع مجازی برای مدلسازی ترانزیستور اثر میدانی در مدلهای CMOS اصلی استفاده نشده است ولی برای دامنه وسیعی از ادوات، بویژه مدلسازی GaN HEMT موثر بوده است.