دانلود ترجمه مقاله تحلیل مصرف توان MOSFET و ترانزیستور تک الکترونی مدار اینورتر

1. مقدمه 2. نظریه بنیادی MOSFET 3. نظریه بنیادی ترانزیستور تک الکترونی 4. محاسبه میانگین مصرف برق و مدار دیجیتال ساده - یک اینورتر 5. مقایسه بین اینورتر CMOS و اینورتر مبتنی بر SET 6. نتایج و نتیجه گیری

چکیده – این مطالعه، عملکرد تحلیل توان مصرفی پایین در ترانزیستور تک الکترونی (SET) در مدار اینورتر را مورد بررسی قرار می دهد. همچنین، ترانزیستور تک الکترونی MOSFETممکن است به عنوان کلید کنترل ولتاژ مورد استفاده قرار گیرد. لازم به ذکر است که، شار جریان از طریق SET، نتیجه تونل زنی الکترون از طریق اتصالات تونل می باشد. از اینرو، تقاضا برای ولتاژ تغذیه نیز بسیار پایین است. بنابراین، در مقایسه با MOSFET، مصرف برق در SET بسیار کمتر است. همچنین، SET یک دستگاه کم مصرف است که برای تولید ویژگی های جدید مورد استفاده قرار می گیرد و دستیابی به آن در منطقه CMOS تقریبا ممکن نیست. لازم به ذکر است که در این شبیه سازی، مطالعه پژوهشی از طریق متلب با اینورتر ساخته شده توسط SET و MOSFET انجام گرفته است.

This paper represents performance of analysis of low power consumption in single electron transistor (SET) for inverter circuit. Rather than MOSFET Single Electron Transistor that may be used as a voltage-controlled switch. Current flowing through the SET is result of the electron tunneling through the tunnel junctions. Therefore, the demand for supply voltage is also very low. As a result, power consumption on the SET is much lower as compare to MOSFET. The SET is a low power device is used to produce new features, which is almost impossible to achieve in the CMOS region. In this simulation the research work was done through MATLAB with an inverter built by SETs and MOSFETs.

ترجمه این مقاله در 11 صفحه آماده شده و در ادامه نیز صفحه 10 آن به عنوان نمونه قرار داده شده است که با خرید این محصول می توانید، فایل WORD و PDF آن را دریافت نمایید.