دانلود ترجمه مقاله تحلیل مصرف توان MOSFET و ترانزیستور تک الکترونی مدار اینورتر

عنوان فارسی :

تحلیل مصرف توان MOSFET و ترانزیستور تک الکترونی مدار اینورتر

عنوان انگلیسی :

Power consumption analysis of MOSFET and Single electron transistor for inverter circuit

کلمات کلیدی :

  ترانزیستور تک الکترونی؛ MOSFET نوع تقویتی؛ تحلیل گذرا؛ ITRS؛ مصرف برق؛ تونل سازی مشترک

درسهای مرتبط : الکترونیک
تعداد صفحات مقاله انگلیسی : 5 نشریه : ELSEVIER
سال انتشار : 2021 تعداد رفرنس مقاله : 12
فرمت مقاله انگلیسی : PDF نوع مقاله : ISI
پاورپوینت : ندارد وضعیت ترجمه مقاله : انجام نشده است.
فهرست مطالب

1. مقدمه 2. نظریه بنیادی MOSFET 3. نظریه بنیادی ترانزیستور تک الکترونی 4. محاسبه میانگین مصرف برق و مدار دیجیتال ساده - یک اینورتر 5. مقایسه بین اینورتر CMOS و اینورتر مبتنی بر SET 6. نتایج و نتیجه گیری

نمونه متن انگلیسی مقاله

This paper represents performance of analysis of low power consumption in single electron transistor (SET) for inverter circuit. Rather than MOSFET Single Electron Transistor that may be used as a voltage-controlled switch. Current flowing through the SET is result of the electron tunneling through the tunnel junctions. Therefore, the demand for supply voltage is also very low. As a result, power consumption on the SET is much lower as compare to MOSFET. The SET is a low power device is used to produce new features, which is almost impossible to achieve in the CMOS region. In this simulation the research work was done through MATLAB with an inverter built by SETs and MOSFETs.

ترجمه نمونه متن انگلیسی

چکیده – این مطالعه، عملکرد تحلیل توان مصرفی پایین در ترانزیستور تک الکترونی (SET) در مدار اینورتر را مورد بررسی قرار می دهد. همچنین، ترانزیستور تک الکترونی MOSFETممکن است به عنوان کلید کنترل ولتاژ مورد استفاده قرار گیرد. لازم به ذکر است که، شار جریان از طریق SET، نتیجه تونل زنی الکترون از طریق اتصالات تونل می باشد. از اینرو، تقاضا برای ولتاژ تغذیه نیز بسیار پایین است. بنابراین، در مقایسه با MOSFET، مصرف برق در SET بسیار کمتر است. همچنین، SET یک دستگاه کم مصرف است که برای تولید ویژگی های جدید مورد استفاده قرار می گیرد و دستیابی به آن در منطقه CMOS تقریبا ممکن نیست. لازم به ذکر است که در این شبیه سازی، مطالعه پژوهشی از طریق متلب با اینورتر ساخته شده توسط SET و MOSFET انجام گرفته است.

توضیحات و مشاهده مقاله انگلیسی

سفارش ترجمه تخصصی این مقاله

دیدگاهها

هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.

اولین نفری باشید که دیدگاهی را ارسال می کنید برای “دانلود ترجمه مقاله تحلیل مصرف توان MOSFET و ترانزیستور تک الکترونی مدار اینورتر”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

دو × دو =

مقالات ترجمه شده

پشتیبانی ترجمه و شبیه سازی مقاله

مجوز نماد اعتماد الکترونیکی

قیمت ترجمه و شبیه سازی مقاله


با توجه به تجربه ی ما در امر شبیه سازی مقالات با نرم افزارهای متلب، پی اس کد، گمز و سایر نرم افزارهای علمی و همچنین تجربه ی چندین ساله در امر ترجمه  مقالات، تصمیم گرفتیم در این دو زمینه کمکی هر چند ناقابل برای دانشجویان به ارمغان آوریم. همه ی مقالات در سایت قرار داده شده که برخی از آنها ترجمه و شبیه سازی آماده دارند که قیمتی بین 20 تا 60 هزار تومان به فروش می رسند. برخی از مقالات نیز که ترجمه و شبیه سازی ندارند، می توانید سفارش دهید تا همکاران ما در اسرع وقت اقدام به تهیه آن کرده و در موعد مقرر تحویل شما دهند.