دانلود ترجمه مقاله فیلتر MOSFET-C با قابلیت تنظیم وسیع و توان فوق العاده پایین که زیر آستانه کار می کند
عنوان فارسی |
فیلتر MOSFET-C با قابلیت تنظیم وسیع و توان فوق العاده پایین که زیر آستانه کار می کند |
عنوان انگلیسی |
A widely-tunable and ultra-low-power MOSFET-C filter operating in subthreshold |
کلمات کلیدی : |
  فیلتر MOSFET-C؛ فرکانس قطع؛ ترانزیستور PMOS |
درسهای مرتبط | الکترونیک |
تعداد صفحات مقاله انگلیسی : 4 | نشریه : IEEE |
سال انتشار : 2009 | تعداد رفرنس مقاله : 16 |
فرمت مقاله انگلیسی : PDF | نوع مقاله : ISI |
پاورپوینت :
ندارد سفارش پاورپوینت این مقاله |
وضعیت ترجمه مقاله : انجام شده و با خرید بسته می توانید فایل ترجمه را دانلود کنید |
1. مقدمه 2. فیلتر MOSFET-C با قابلیت تنظیم وسیع 3. نتایج آزمایش 4. نتیجه گیری
چکیده – فیلتر MOSFET-C با دامنه بسیار وسیع تنظیم و توان فوق العاده پایین ارائه شده است. دامنه وسیع تنظیم در این فیلتر بدون استفاده از اجزای قابل تعویض یا عناصر سازنده قابل برنامه ریزی حاصل شده است و فرکانس قطع فیلتر را می توان به سادگی از طریق کنترل جریان بایاس تنظیم کرد. فیلتر مشخصات پایین گذر دارد و fC = 20Hz تا 184kHz است در عین حال که مصرف توان ثابتی را به ازای فرکانس قطع در کل دامنه تنظیم نشان می دهد، که تقریبا به عرض چهار دهه است. فیلتر MOSFET-C پیشنهادی از ترانزیستورهای PMOS در رژیم زیر آستانه برای پیاده سازی مقاومت های شناور با قابلیت تنظیم گسترده استفاده می کند. مقاومت ویژه فوق العاده پایین دستگاههای PMOS باعث می شود این دستگاهها برای پیاده سازی فیلترهای متراکم با فرکانس خیلی پایین مناسب باشند. با فناوری CMOS در 0.18μm، این فیلتر نویز نسبتا ثابت و عملکرد خطی در کل دامنه تنظیم نشان می دهد. منطقه فعال فیلتر MOSFET-C پیشنهادی 0.09mm است.
A very wide tuning range ultra-low-power MOSFET-C filter is presented. The wide tuning range in this filter has been achieved without using any switchable components or programmable building blocks, and the cutoff frequency of the filter can be adjusted simply through a controlling bias current. The filter has low-pass characteristics with fc = 20 Hz to 84 kHz while exhibiting a constant power consumption per cutoff frequency over its entire tuning range that is almost four decades wide. The proposed MOSFET-C filter uses PMOS transistors in subthreshold regime for implementing floating and widely adjustable resistors. The ultra high resistivity of the PMOS devices makes them very suitable for implementing very low frequency and compact filters. Realized in 0.18 mum CMOS technology, the filter exhibits a relatively constant noise and linearity performance over its entire tuning range. The active area of the proposed MOSFET-C filter is 0.09 mm2.
محتوی بسته دانلودی:
PDF مقاله انگلیسی ورد (WORD) ترجمه مقاله به صورت کاملا مرتب (ترجمه شکل ها و جداول به صورت کاملا مرتب)
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.