دانلود پاورپوینت مقاله آنالیز پایداری دینامیک مبتنی بر مدل فضای حالت و شاخص پایداری لیاپانوف

در سال های اخیر، SiC-MOS، تبدیل به نقطه توجه هم در مقالات و هم در کاربردهای مهندسی، شده است و دلیل آن، چگالی توان بالاتر، فرکانس سوئیچینگ بالاتر و اتلاف سوئیچینگ پایین تر است. این پدیده، روندی است که برای جایگزینی ترانزیستور بایپولار گیت عایق Si (Si-IGBT)، در طراحی سیستم های قدرت میانی، در آینده نزدیک، به خصوص در راهکارهای توان خودرو (همانند رانش الکتریکی در خودروهای الکتریکی) معرفی شده است. در کاربردهای مهندسی، نوسان خود برانگیخته، مسئله مرسومی، در سیستم قدرت مبتنی بر SiC-MOS و Si-IGBT است. نوسان خود-برانگیخته، نقش قابل توجهی را در مسئله EMI، در طول سوئیچینگ SiC-MIS و Si-IGBT ایفا می کند. فاکتورهای زیادی می تواند دلیل بروز نوسان خود برانگیخته باشد (همانند مقاومت، ظرفیت خازنی و اندوکتانس پارازیتی) که از مدارهای خارجی، بسته دستگاه و تراشه به وجود می آید). علاوه بر این، شرایط کاری نیز موثر است. تحلیل سطح سیستم را باید برای یافتن پارامترهای مناسب یا شرایط کاری انجام داد تا با استفاده از آن، مسئله EMI را با هدف بهبودبخشی عملکرد سوئیچینگ حذف نمود.

این پاورپوینت در 10 اسلاید آماده شده و در ادامه نیز، اسلاید شماره 6 آن قرار داده شده است:

یک روش ارزیابی پایداری پویا، بر پایه معیار پایداری لیاپانوف، برای Si-MOS و Si-IGBT پیشنهاد شده است. نتایج شبیه سازی و آزمایشات نشان می دهد که این روش می تواند عملکرد EMI دستگاه را با پارامترهای داخلی (تراشه و بسته) یا خارجی (کاربرد، مدارهای برانگیزش) ارزیابی و مقایسه کند. از این روش می توان برای بررسی پایداری آنلاین، طراحی دستگاه و طراحی مدار کاربرد، با هدف بهبودبخشی عملکرد EMI استفاده نمود.