دانلود ترجمه مقاله تحلیل پایداری دینامیک بر پایه مدل فضای حالت و معیار پایداری لیاپانوف
عنوان فارسی |
تحلیل پایداری دینامیک، بر پایه مدل فضای حالت و معیار پایداری لیاپانوف، برای سوئیچینگ SiC-MOS و Si-IGBT |
عنوان انگلیسی |
Dynamic Stability Analysis based on State-space Model and Lyapunov’s Stability Criterion for SiC-MOS and Si-IGBT Switching |
کلمات کلیدی : |
  SiC-MOS؛ IGBT؛ پایداری؛ نوسانات خود-برانگیخته |
درسهای مرتبط | دینامیک سیستم های قدرت |
تعداد صفحات مقاله انگلیسی : 4 | نشریه : IEEE |
سال انتشار : 2018 | تعداد رفرنس مقاله : 5 |
فرمت مقاله انگلیسی : PDF | نوع مقاله : ISI |
پاورپوینت :
دانلود پاورپوینت مقاله آنالیز پایداری دینامیک با فضای حالت |
وضعیت ترجمه مقاله : انجام شده و با خرید بسته می توانید فایل ترجمه را دانلود کنید |
1. مقدمه 2. اساس ارزیابی پایداری پویای پیشنهادی 3. شبیه سازی و آزمایشات 4. نتیجه گیری
چکیده – این مقاله، روش جدید ارزیابی پایداری، برای SiG-MOS و Si-IGBT، در سوئیچینگ حالت گذرا را پیشنهاد می کند. این روش، بر پایه معیار پایداری لیاپانوف و آمار، بنا گذاشته شده است. مدل فضای حالت، بر پایه مدار معادل SiC-MOS، با لحاظ کردن پارامترهای نی (straw) ایجاد شده است. ماتریس سیستم، در مدل فضای حالت را می توان برای تحلیل پایداری، با استفاده از معیار پایداری لیاپانوف، برای نمونه ای که شامل پارامترهای مذکور، در ماتریس سیستم می شود، استفاده کرد. روش آماری، برای نتایج پایداری نمونه ها، در حالت گذرای سوئیچینگ دستگاه پیاده سازی می شود و هم چنین سطح ناپایدار که برای تشریح عملکرد پایداری، در طول حالت گذرا مورد استفاده قرار می گیرد، تعریف شده است. از نتایج شبیه سازی و آزمایشات می توان دریافت که سطح ناپایدار، توانایی ارزیابی عملکرد EMI را برای مقایسه تاثیر پارامترهای پارازیتی، در طراحی های بسته، ماژول و تراشه و حتی تناسب مدارهای کاربردی، برای سرکوب کردن نوسانات خود برانگیخته دستگاه را دارد.
This paper proposes a new stability evaluation method for SiC-MOS and Si-IGBT in switching transient state. This method is based on Lyapunov's stability criterion and statistics. A state-space model is established based on SiC-MOS equivalent circuit with consideration of straw parameters. The system matrix in the state-space model can be used for stability analysis by Lyapunov's stability criterion for the samples that include the parameters in system matrix. The statistical method is implemented for the stability results of the samples in device switching transient state and the unstable level which is used to descript the stability performance during transient state has been defined. From the simulation and experimentation results, the unstable level has the capability to evaluate the EMI performance for comparing the impact of parasitic parameters in design of package, module and chip, even the suitability of the application circuits to suppress device self-excited oscillation.
محتوی بسته دانلودی:
PDF مقاله انگلیسی ورد (WORD) ترجمه مقاله به صورت کاملا مرتب (ترجمه شکل ها و جداول به صورت کاملا مرتب)
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.