دانلود ترجمه مقاله فیلتر ترارسانا-C پایین گذر دومجذوری قابل تیونینگ خطی شده با توان پایین
عنوان فارسی |
فیلتر ترارسانا-C پایین گذر دومجذوری قابل تیونینگ خطی شده با توان پایین |
عنوان انگلیسی |
Low-Power and Widely Tunable Linearized Biquadratic Low-Pass Transconductor-C Filter |
کلمات کلیدی : |
  فیلتر دو مجذوری؛ مدارهای مجتمع نیمرسانای اکسید فلزی مکمل (CMOS)؛ فیلتر زمان پیوسته؛ فیلتر gm-C؛ زیرآستانه؛ ترارسانا-C؛ وارونگی ضعیف؛ قابل تیونینگ در رنج وسیع |
درسهای مرتبط | الکترونیک |
تعداد صفحات مقاله انگلیسی : 5 | نشریه : IEEE |
سال انتشار : 2011 | تعداد رفرنس مقاله : 26 |
فرمت مقاله انگلیسی : PDF | نوع مقاله : ISI |
پاورپوینت :
ندارد سفارش پاورپوینت این مقاله |
وضعیت ترجمه مقاله : انجام شده و با خرید بسته می توانید فایل ترجمه را دانلود کنید |
1. مقدمه 2. فیلتر gm-C قابل تیونینگ در محدوده وسیع 3. نمونه طراحی 4. نتایج تجربی 5. نتیجه گیری
چکیده – یک فیلتر ترارسانا-C مرتبه شش پایین گذر با محدوده تیونینگ بسیار وسیع (Fc=100Hz تا 10 MHz) ارائه شده است. این محدوده تیونینگ وسیع بدون استفاده از بخش های قابل تغییر و بلوک های سازنده قابل برنامه ریزی، ساخته شده است. یک ترارسانای تک طبقه کاسکود تا شده برای پیاده سازی فیلتر ارائه شده، مورد استفاده قرار گرفته است. یک توپولوژی دومجذوری اصلاح شده برای بهبود عملکرد خطی فیلتر در محدوده تیونینگ آن، معرفی شده است. مصرف توان فیلتر به صورت خطی با فرکانس قطع (60pW/Hz/pole) تغییر می کند. پیاده سازی با استفاده از تکنولوژی نیمرسانای اکسید فلزی مکمل 0.18 μm (CMOS)، انجام شده است. فیلتردرتمام طول محدوده تیوتینگ خود، نویز تقریبا ثابت و عملکرد خطی به نمایش می گذارد و فضای سیلیکونی معادل mm2 0.16 را اشغال می کند. (0.027 mm2/pole).
A sixth-order low-pass transconductor-C filter with a very wide tuning range (fc = 100 Hz to 10 MHz) is presented. The wide tuning range has been achieved without using switchable components or programmable building blocks. A single-stage folded cascode transconductor is employed to implement the proposed filter. A modified biquadratic topology is introduced to improve linearity performance of the filter over its tuning range. Power consumption of the filter scales linearly with cutoff frequency (60 pW/Hz/pole). Implemented in 0.18-μm complementary metal-oxide-semiconductor technology, the filter exhibits relatively constant noise and linearity performance over its entire tuning range and occupies a silicon area of 0.16 mm2 (0.027 mm2/pole).
محتوی بسته دانلودی:
PDF مقاله انگلیسی ورد (WORD) ترجمه مقاله به صورت کاملا مرتب (ترجمه شکل ها و جداول به صورت کاملا مرتب)
دیدگاهها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.