دانلود ترجمه مقاله مدولاتور جذب الکتریکی مبتنی بر گرافن بر روی موج بر SOI

1. مقدمه 2. نتایج 3. نتیجه گیری

گرافن به دلیل ساختار باند خطی و بدون شکاف، ماده مطمئنی برای الکترونیک نوری پهن باند در نظر گرفته می شود. رسانایی نوری آن را می توان با تغییر سطح فرمی به طور قابل‌توجهی از نظر الکترواستاتیکی تنظیم کرد. با استفاده از این ویژگی ذکر شده، ما بصورت تجربی یک مدولاتور جذب الکتریکی مبتنی بر گرافن را با تلفات جایگزینی بسیار کم نشان می دهیم. این وسیله با بکارگیری یک موجبر سیلیکون بر روی عایق(SOI) با طول موج 1550 nm انجام می شود. مدولاتور عمق مدولاسیون را 16 dB و تلفات جایگزینی را 3.3 dB نشان می دهد و از GeSi و مدولاتور های قبلی مبتنی بر گرافن پیشی گرفته است و قابل مقایسه با مدولاتور های مبتنی بر تداخل سنج سیلیکونی Mach-Zehnder است.

Graphene is considered a promising material for broadband opto-electronics because of its linear and gapless band structure. Its optical conductivity can be significantly tuned electrostatically by shifting the Fermi level. Using mentioned property, we experimentally demonstrate a graphene based electro-absorption modulator with very low insertion loss. The device is realized on a silicon on insulator (SOI) waveguide operating at 1550 nm wavelength. The modulator shows a modulation depth of 16 dB and an insertion loss of 3.3 dB, surpassing GeSi and previous graphene based absorption modulators and being comparable to silicon Mach-Zehnder interferometer based modulators.