دانلود ترجمه مقاله طراحی و ارزیابی مدارهای کواترنری مبتنی بر CNFET

1. مقدمه 2. مروری بر ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربن (CVFETها) 3. مدارهای کواترنری پیشنهادی 4. نتایج شبیه سازی 5. نتیجه گیری

چکیده – در این مقاله مدارهای منطقی کواترنری جدید با کارایی بالا و تحمل PVT و همچنین مدارهای محاسباتی کواترنری کارآمد برای نانو الکترونیک ها ارائه شده است. این مدارهای مبتنی بر نانولوله کربنی FET (CNFET) با فن آوری های اخیر سازگار هستند و بر اساس معماری مرسوم CMOS طراحی شده اند ، در حالی که در طرح های کواترنری قبلی از روش هایی استفاده شده است که برای نانوالکترونیک ها مناسب نیستند و منسوخ شده اند. طرح های پیشنهادی مقاوم بوده، حاشیه نویز زیادی داشته و دارای قابلیت رانش بالایی هستند. ویژگی های منحصربه فرد CN-FET ها ، از جمله توانایی داشتن ولتاژ آستانه مورد نظر با تنظیم قطرهای نانولوله ها ، آنها را برای طراحی مدارهای چند آستانه حالت ولتاژ بسیار مناسب می کند. مدارهای پیشنهادی با استفاده از Synopsys HSPICE با فناوری استاندارد 32 nm-CNFET در شرایط مختلف و ولتاژهای مختلف تغذیه مورد بررسی قرار می گیرند. نتایج شبیه سازی عملکرد صحیح و کارایی بالا در مدارهای پیشنهادی را حتی در وجود تغییرات فرایند ، ولتاژ و دما نشان می دهد.

This paper presents novel high-performance and PVT tolerant quaternary logic circuits as well as efficient quaternary arithmetic circuits for nanoelectronics. These Carbon Nanotube FET (CNFET)-based circuits are compatible with the recent technologies and are designed based on the conventional CMOS architecture, while the previous quaternary designs used methods which are not suitable for nanoelectronics and have become obsolete. The proposed designs are robust and have large noise margins and high driving capability. The singular characteristics of CNFETs, such as the capability of having the desired threshold voltage by regulating the diameters of the nanotubes, make them very appropriate for voltage-mode multiple-threshold circuits design. The proposed circuits are examined, using Synopsys HSPICE with the standard 32 nm-CNFET technology in various situations and different supply voltages. Simulation results demonstrate the correct and high-performance operation of the proposed circuits even in the presence of process, voltage and temperature variations.