دانلود ترجمه مقاله طراحی و ارزیابی مدارهای کواترنری مبتنی بر CNFET

عنوان فارسی :

طراحی و ارزیابی مدارهای کواترنری مبتنی بر CNFET

عنوان انگلیسی :

Design and Evaluation of CNFET-Based Quaternary Circuits

کلمات کلیدی :

  نانولوله کربنی FET (CNFET)؛ منطق کواترنری؛ مدارهای حسابی و منطقی؛ طراحی حالت ولتاژ چند آستانه؛ نانو الکترونیک ها

درسهای مرتبط : معماری سیستم های کامپیوتری
تعداد صفحات مقاله انگلیسی : 22 نشریه : Springer
سال انتشار : 2012 تعداد رفرنس مقاله : 37
فرمت مقاله انگلیسی : PDF نوع مقاله : ISI
شبیه سازی مقاله : انجام نشده است. وضعیت ترجمه مقاله : انجام نشده است.
فهرست مطالب

1. مقدمه 2. مروری بر ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربن (CVFETها) 3. مدارهای کواترنری پیشنهادی 4. نتایج شبیه سازی 5. نتیجه گیری

نمونه متن انگلیسی مقاله

This paper presents novel high-performance and PVT tolerant quaternary logic circuits as well as efficient quaternary arithmetic circuits for nanoelectronics. These Carbon Nanotube FET (CNFET)-based circuits are compatible with the recent technologies and are designed based on the conventional CMOS architecture, while the previous quaternary designs used methods which are not suitable for nanoelectronics and have become obsolete. The proposed designs are robust and have large noise margins and high driving capability. The singular characteristics of CNFETs, such as the capability of having the desired threshold voltage by regulating the diameters of the nanotubes, make them very appropriate for voltage-mode multiple-threshold circuits design. The proposed circuits are examined, using Synopsys HSPICE with the standard 32 nm-CNFET technology in various situations and different supply voltages. Simulation results demonstrate the correct and high-performance operation of the proposed circuits even in the presence of process, voltage and temperature variations.

ترجمه نمونه متن انگلیسی

چکیده – در این مقاله مدارهای منطقی کواترنری جدید با کارایی بالا و تحمل PVT و همچنین مدارهای محاسباتی کواترنری کارآمد برای نانو الکترونیک ها ارائه شده است. این مدارهای مبتنی بر نانولوله کربنی FET (CNFET) با فن آوری های اخیر سازگار هستند و بر اساس معماری مرسوم CMOS طراحی شده اند ، در حالی که در طرح های کواترنری قبلی از روش هایی استفاده شده است که برای نانوالکترونیک ها مناسب نیستند و منسوخ شده اند. طرح های پیشنهادی مقاوم بوده، حاشیه نویز زیادی داشته و دارای قابلیت رانش بالایی هستند. ویژگی های منحصربه فرد CN-FET ها ، از جمله توانایی داشتن ولتاژ آستانه مورد نظر با تنظیم قطرهای نانولوله ها ، آنها را برای طراحی مدارهای چند آستانه حالت ولتاژ بسیار مناسب می کند. مدارهای پیشنهادی با استفاده از Synopsys HSPICE با فناوری استاندارد 32 nm-CNFET در شرایط مختلف و ولتاژهای مختلف تغذیه مورد بررسی قرار می گیرند. نتایج شبیه سازی عملکرد صحیح و کارایی بالا در مدارهای پیشنهادی را حتی در وجود تغییرات فرایند ، ولتاژ و دما نشان می دهد.

توضیحات و مشاهده مقاله انگلیسی

سفارش ترجمه تخصصی این مقاله

دیدگاهها

هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.

اولین نفری باشید که دیدگاهی را ارسال می کنید برای “دانلود ترجمه مقاله طراحی و ارزیابی مدارهای کواترنری مبتنی بر CNFET”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

سیزده − 6 =

مقالات ترجمه شده

آموزش برنامه نویسی

مجوز نماد اعتماد الکترونیکی

پشتیبانی ترجمه و شبیه سازی مقاله

قیمت ترجمه و شبیه سازی مقاله

با توجه به تجربه ی ما در امر شبیه سازی مقالات با نرم افزارهای متلب، پی اس کد، گمز و سایر نرم افزارهای علمی و همچنین تجربه ی چندین ساله در امر ترجمه  مقالات، تصمیم گرفتیم در این دو زمینه کمکی هر چند ناقابل برای دانشجویان به ارمغان آوریم. همه ی مقالات در سایت قرار داده شده که برخی از آنها ترجمه و شبیه سازی آماده دارند که قیمتی بین 20 تا 30 هزار تومان به فروش می رسند. برخی از مقالات نیز که ترجمه و شبیه سازی ندارند، می توانید سفارش دهید تا همکاران ما در اسرع وقت اقدام به تهیه آن کرده و در موعد مقرر تحویل شما دهند.