دانلود ترجمه مقاله شتاب سنج پیزوالکتریک دایره‌ای برای کاربردهای پهنای باند بالا

1. مقدمه 2. طراحی شتاب سنج 3. فرآیند تولید 4. تشریح 5. نتیجه گیری

چکیده – یک شتاب سنج MEMS پیزوالکتریک میکروماشینی تک محوره برای کاربردهای پهنای باند بالا مورد بررسی قرار گرفته است. یک توده لرزان دایره ای (شعاع = 1200 میکرومتر) توسط یک غشاء ضخیم سیلیکونی حلقوی 20 میکرومتری (شعاع = 1800 میکرومتر) به حالت معلق درآمده است. نوارهای چاپی PZT ضخیم 24 میکرومتری به عنوان ماده سنجش در بالای غشای سیلیکونی استفاده شده است. شتاب در خارج از جهت صفحه، نیرویی را بر توده مرتعش وارد می کند که غشاء را خم کرده و یک اختلاف پتانسیل در خارج از جهت صفحه PZT تحت استرس اندازه گیری می گردد. یک فرکانس رزونانس 23.50 کیلو هرتزی، یک حساسیت شارژ 0.23 pC/g و یک حساسیت ولتاژ 0.24 mV/g اندازه گیری شده است.

An uniaxial bulk-micromachined piezoelectric MEMS accelerometer intended for high bandwidth application is fabricated and characterized. A circular seismic mass (radius = 1200 μm) is suspended by a 20 μm thick annular silicon membrane (radius = 1800 μm). A 24 μm PZT screen printed thick film is used as the sensing material on top of the silicon membrane. Accelerations in the out of plane direction induce a force on the seismic mass bending the membrane and a potential difference is measured in the out of plane direction of the stressed PZT. A resonance frequency of 23.50 kHz, a charge sensitivity of 0.23 pC/g and a voltage sensitivity of 0.24 mV/g are measured.