دانلود ترجمه مقاله رفتار وریستورهای ZnO در برابر اضافه ولتاژهای گذرای بسیار سریع (VFTO)

1. مقدمه 2. تجهیزات، مواد و روش ها 3. نتایج و بحث و بررسی 4. نتیجه گیری

چکیده – برای مطالعه رفتار واریستورهای ZnO فشار ضعیف در برابر «اضافه ولتاژ گذرای بسیار سریع» (VFTO)، نویسندگان یک سیستم تولید و سنجش VFTO های کامل براساس فشرده سازی پالس مغناطیسی (MPC) و ترانسفورماتور خط انتقال (TLT) را توسعه داده اند. این سیستم، ولتاژ خروجی 24 کیلوولت، زمان اوج 32 نانوثانیه و پهنای باند 10 مگاهرتز دارد. این سیستم اندازه گیری، از یک مقسم ولتاژ مقاومتی میرا شده با امپدانس 1000 مگا اهم و حداکثر پهنای باند 10 مگاهرتز، تشکیل شده است. این آزمایش با پنج واریستور اکسید روی تجاری با ولتاژ اسمی 150 ولت انجام شد که هر کدام در معرض پالس های ولتاژ از نوع VFTO قرار گرفت و براساس «تحلیل واریانس» (ANOVA)، یک واریستور منحصربفرد برای انجام مطالعه موردی انتخاب شد. این مقاله، یک روش تجربی برای مشاهده پاسخ واریستورهای ZnO فشار ضعیف در برابر VFTO، ارائه می دهد. این پاسخ، تاخیر ولتاژ پسماند به جریان تخلیه اعمالی است و نشان دهنده عملکرد ضعیف این ادوات در برابر VFTO ها می باشد. روش پیشنهادی ما شامل یک سری تست آزمایشگاهی است که به تولید کنندگان و مصرف کنندگان امکان می دهد تا اقدامات اصلاحی در شرایط عملکرد نادرست، آسیب به مواد واریستور و تنزل دائمی ادوات، انجام دهند.

To study the behavior of low voltage ZnO varistors against Very Fast Transient Overvoltage (VFTO), the authors have developed a complete VFTO(s) generation and measurement system based on magnetic pulse compression (MPC) and Transmission Line Transformer (TLT). This system has an output voltage of 24 kV, rise time of 32 ns, and a bandwidth of 10 MHz. The measurement system comprises a damped resistive voltage divider with an impedance of 1000 MΩ and a maximum bandwidth of 10 MHz. The experiment was performed with five commercial zinc oxide varistors with a nominal voltage of 150 V, each one was subjected to VFTO-type voltage pulses and, by Analysis of Variance (ANOVA), a single varistor was selected to perform the case study. This work presents an experimental methodology to observe the response of low voltage ZnO varistors against VFTO. This response is the delay of the residual voltage to the applied discharge current and indicates the poor performance of these devices against VFTOs. Our methodological proposal consists of a series of laboratory tests that will allow manufacturers and consumers to take corrective measures in case of malfunction, damage of the varistor material, or permanent degradation of the device.