دانلود ترجمه مقاله سنجش پایداری ولتاژی با استفاده از دستگاه های D-FACTS

عنوان فارسی :

سنجش پایداری ولتاژی با استفاده از دستگاه های D-FACTS قرار گرفته در موقعیت های بهینه

عنوان انگلیسی :

Voltage Stability Assessment in the Presence of Optimally Placed D-FACTS Devices

کلمات کلیدی :

  FACTS پراکنده؛ کنترل ولتاژ؛ کنترل توان راکتیو؛ حساسیت امپدانس خط

درسهای مرتبط : کنترل توان راکتیو
تعداد صفحات مقاله انگلیسی : 6 نشریه : IEEE
سال انتشار : 2012 تعداد رفرنس مقاله : 20
فرمت مقاله انگلیسی : PDF نوع مقاله : ISI
شبیه سازی مقاله : انجام نشده است. وضعیت ترجمه مقاله : انجام شده و با خرید بسته می توانید فایل ترجمه را دانلود کنید
IEEE
قیمت دانلود مقاله
18,000 تومان
فهرست مطالب

1. مقدمه 2. تحلیل حساسیت‌های امپدانس خط 3. شناسائی مکان‌های موثر D-FACTS 4. توسعه سیستم معادل دو باس 5. محاسبه شاخص پایداری کلی ولتاژ 6. الگوریتم 7. شبیه‌سازی و بحث و بررسی 8. نتیجه‌گیری

نمونه متن انگلیسی مقاله

SIMULATION AND DISCUSSION: A MATLAB program has been developed to perform the Newton-Raphson load flow analysis with above discussed models of DSSC and tested on the standard IEEE 30-bus system with base load equals 100MVA. The reactive power sensitivity analysis [13] reveals that bus no. 26 as the weakest bus of the system. First, the power flow problem of the systems are successively solved for uniformly increasing load conditions (at an increment of 1% of base value keeping the load power factor constant) at the weakest bus until the power flow algorithm fails to converge. The Power flow problems are then similarly solved for application of DSSC at the most sensitive lines obtained from State to Impedance sensitivity matrix (SI) for voltage control at weakest bus. For each case and each load set, the two bus series-equivalent model parameters have been calculated and have been used to calculate the GVSI. It should be clear that the load increase is possible with any one or more bus in the system. Weakest bus of system is considered here only to describe the methodology in better way as weakest bus in term of reactive power sensitivity is most vulnerable to voltage collapse. Fig. 3 and 4 exhibits the profile of GVSI and weak bus voltage for IEEE 30-bus system indicating that the system gradually moves towards voltage instability with increase in load as well as it is clear that with the application of DSSC, the GVSI have been improved with better load catering capability. Fig. 4 also suggests an improvement in voltage profile with the incorporation of DSSC though its actual significance lies in its capability of handling increased power flow and hence increased stability of the system even under stressed condition. Beneficial choices of lines for D-FACTS placement may be determined from [SIV]. Lines that have higher sensitivities are better choices because changing the impedance on that line has a higher impact on the system voltages. In a first case, D-FACTS devices are installed on the first best line and impedances are allowed to change by + 30%. As D-FACTS devices are able to change line impedance by any amount within their limits but here it is assumed that these devices are set at their limits [19].

ترجمه نمونه متن انگلیسی

شبیه‌سازی و بحث و بررسی: برای اجرای تحلیل پخش بار نیوتن رافسون با مدل‌های بحث شده DSSC یک برنامه MATLAB توسعه یافت و روی سیستم 30 باس استاندارد IEEE با بار پایه 100 مگاولت‌آمپر تست شد. تحلیل حساسیت توان راکتیو [13] نشان می‌دهد که باس شماره 26 ضعیف‌ترین باس سیستم است. ابتدا، مساله پخش بار سیستم‌ها برای شرایط افزایش یکنواخت بار (باگام 1% مقدار پایه و ثابت نگه داشتن ضریب توان بار) در ضعیف‌ترین باس به طور موفقیت‌آمیزی حل شد و این افزایش بار تا زمانی ادامه یافت که الگوریتم همگرائی خود را از دست بدهد. برای کنترل ولتاژ در ضعیف‌ترین باس، مسائل پخش بار به طور مشابه برای کاربرد DSSC در حساس‌ترین خط‌های بدست آمده از ماتریس حساسیت حالت نسبت به امپدانس (SI) حل شدند. برای هر مورد و برای هر مجموعه بار، پارامترهای مدل معادل سری دو باس محاسبه شدند و برای محاسبه GVSI به کار رفتند. واضح است که افزایش بار برای یک یا چند باس سیستم امکانپذیر است. تنها ضعیف‌ترین باس سیستم در اینجا در نظر گرفته شده است تا روش ارائه شده به طور مناسب توصیف شد، به این علت ضعیف‌ترین باس انتخاب می‌شود که این باس از نظر حساسیت توان راکتیو حساس‌ترین باس برای فروپاشی ولتاژ است. شکل3 و 4 پروفیل GVSI و ولتاژ باس ضعیف سیستم 30 باس IEEE را نشان می‌دهند، دیده می‌شود که سیستم به تدریج با افزایش بار به سمت ناپایداری ولتاژ می‌رود. همچنین ملاحظه می‌شود که با کاربرد DSSC، GVSI بهبود می‌یابد. شکل4 نیز پیشنهاد می‌کند که بهبود در پروفیل ولتاژ با مشارکت DSSC بستگی به توانمندی آن در برخورد با پخش بار افزایش‌یافته دارد که در این صورت پایداری سیستم حتی در شرایط پراسترس نیز افزایش خواهد یافت. انتخاب خطوط مناسب برای جایگذاری D-FACTS در ‌آن‌ها از طریق [SIV] صورت می‌گیرد. خطوطی که حساسیت بیشتری دارند گزینه‌های مناسب و بهتری هستند چون تغییر امپدانس در آن خطوط تاثیر بیشتری روی ولتاژ‌های سیستم دارد. در اولین مورد، ادوات D-FACTS در اولین بهترین خط نصب می‌شوند و امپدانس‌ها اجازه دارند تا 30% + تغییر یابند. با اینکه ادوات D-FACTS قادرند امپدانس خط را تا هر مقداری در محدوده آن‌ها تغییر دهند اما فرض می‌شود که این تجهیزات در حدود خود تنظیم می‌شوند [19].

توضیحات و مشاهده مقاله انگلیسی

محتوی بسته دانلودی:

PDF مقاله انگلیسی ورد (WORD) ترجمه مقاله به صورت کاملا مرتب
قیمت : 18,000 تومان

دیدگاهها

هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.

اولین نفری باشید که دیدگاهی را ارسال می کنید برای “دانلود ترجمه مقاله سنجش پایداری ولتاژی با استفاده از دستگاه های D-FACTS”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

11 − 4 =

مقالات ترجمه شده

آموزش برنامه نویسی

مجوز نماد اعتماد الکترونیکی

پشتیبانی ترجمه و شبیه سازی مقاله

قیمت ترجمه و شبیه سازی مقاله

با توجه به تجربه ی ما در امر شبیه سازی مقالات با نرم افزارهای متلب، پی اس کد، گمز و سایر نرم افزارهای علمی و همچنین تجربه ی چندین ساله در امر ترجمه  مقالات، تصمیم گرفتیم در این دو زمینه کمکی هر چند ناقابل برای دانشجویان به ارمغان آوریم. همه ی مقالات در سایت قرار داده شده که برخی از آنها ترجمه و شبیه سازی آماده دارند که قیمتی بین 20 تا 30 هزار تومان به فروش می رسند. برخی از مقالات نیز که ترجمه و شبیه سازی ندارند، می توانید سفارش دهید تا همکاران ما در اسرع وقت اقدام به تهیه آن کرده و در موعد مقرر تحویل شما دهند.